IGBT модули

IGBT модули на средние частоты

Наименование
прибора
UCES [В]
ICnom [A]
Tjmax [°C]
Uisol [В]
Корпус
Габариты
(ширина/длина) [мм]
1200 200 175 4000 MIAA 61,4/106,4
1200 300 175 4000 MIAA 61,4/106,4
1200 400 175 4000 MIAA 61,4/106,4
1700 150 175 4000 MIAA 61,4/106,4
1700 200 175 4000 MIAA 61,4/106,4
1200 300 175 4000 MIAA 61,4/106,4
1200 300 175 4000 MIDA 62/152
1200 450 175 4000 MIDA 62/152
1200 600 175 4000 MIDA 62/152
1700 300 175 4000 MIDA 62/152
1200 100 175 4000 MIFA 34/94
1200 150 175 4000 MIFA 34/94
1200 200 175 4000 MIFA 34/94
1700 75 175 4000 MIFA 34/94
1700 100 175 4000 MIFA 34/94
1700 150 175 4000 MIFA 34/94

IGBT модули на средние частоты

Пример маркировки:

MIAA  HB 12  FA  —   200
1  2 3  4 5 6

 

1.Исполнение:
    MIAA – корпус 62 мм
    MIFA – корпус 34 мм
2. Схема включения:
    HB – полумост
    HC – верхний чоппер
    LC – нижний чоппер   
3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
    12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)
4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов
5. Номинальный ток модуля
6. Климатическое исполнение

Паспорт на IGBT модули

Технологическая линия производства IGBT модулей

Рекомендации по применению IGBT модулей производства АО «Протон-Электротекс»

ООО "НПП "КРАФТ-ЭЛЕКТРО"

61072, г.Харьков, ул. Тобольськая, 42, к.219