IGBT модули
IGBT модули на средние частоты
IGBT модули на средние частоты
Пример маркировки:
| MIAA | — | HB | 12 | FA | — | 200 | N |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
1.Исполнение:
MIAA – корпус 62 мм
MIFA – корпус 34 мм
2. Схема включения:
HB – полумост
HC – верхний чоппер
LC – нижний чоппер
3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)
4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов
5. Номинальный ток модуля
6. Климатическое исполнение
Технологическая линия производства IGBT модулей
Рекомендации по применению IGBT модулей производства АО «Протон-Электротекс»
ООО "НПП "КРАФТ-ЭЛЕКТРО"
61072, г.Харьков, ул. Тобольськая, 42, к.219
Тел/офис
+38 (057) 758-64-80,
+38 (057) 758-62-80